+8618117273997weixin
Tiếng AnhTiếng Anh
中文简体 中文简体 en English ru Русский es Español pt Português tr Türkçe ar العربية de Deutsch pl Polski it Italiano fr Français ko 한국어 th ไทย vi Tiếng Việt ja 日本語
20 Tháng Tám, 2025 754 Xem Tác giả: Cherry Shen

LISUN CDNE-M316: Mạng ghép nối và tách ghép hiệu suất cao cho thử nghiệm miễn nhiễm RF dẫn truyền

Tóm tắt
Thử nghiệm miễn nhiễm tần số vô tuyến (RF) dẫn điện là một thành phần quan trọng của việc tuân thủ tương thích điện từ (EMC), đảm bảo thiết bị điện tử hoạt động đáng tin cậy trong môi trường ô nhiễm RF. Bài báo này tập trung vào CDNE cho thử nghiệm miễn nhiễm RF dẫn điện, với phân tích cụ thể về LISUN CDNE-M316 Mạng lưới ghép nối và tách rời. CDNE-M316, được thiết kế để đáp ứng các tiêu chuẩn CISPR 15:2018 và EN 55015, được tối ưu hóa để thử nghiệm thiết bị chiếu sáng và các thiết bị tương tự trên dải tần số từ 30 MHz đến 300 MHz. Nghiên cứu này trình bày chi tiết các thông số kỹ thuật, nguyên lý hoạt động, đặc tính hiệu suất và ứng dụng thực tế của thiết bị trong các thiết lập thử nghiệm EMC. Dữ liệu so sánh và kết quả thực nghiệm chứng minh hiệu suất tách ghép vượt trội (>30 dB) và khả năng phối hợp trở kháng (50 Ω) của thiết bị, khẳng định vai trò của thiết bị là một giải pháp tiết kiệm chi phí và đáng tin cậy cho các đánh giá miễn nhiễm tần số vô tuyến được thực hiện.

1. Giới thiệu
Với sự phát triển mạnh mẽ của truyền thông không dây và các hệ thống điện tử công suất, môi trường điện từ ngày càng trở nên phức tạp. Nhiễu tần số vô tuyến (RF) dẫn truyền qua cáp nguồn hoặc cáp tín hiệu gây ra mối đe dọa đáng kể đến hiệu suất của các thiết bị điện tử. Để giảm thiểu rủi ro này, các tiêu chuẩn quốc tế như IEC 61000-4-6 và CISPR 15 yêu cầu thực hiện thử nghiệm miễn nhiễm RF, đòi hỏi các mạng ghép nối và tách ghép (CDN) chuyên dụng để đưa năng lượng RF được kiểm soát vào Thiết bị cần thử nghiệm (EUT) đồng thời cách ly thiết lập thử nghiệm khỏi các nhiễu loạn bên ngoài.

A Mạng ghép nối và tách ghép cho thử nghiệm miễn nhiễm RF dẫn truyền (CDNE) đảm nhiệm hai chức năng cốt lõi: (1) ghép nối tín hiệu kiểm tra RF từ máy phát tín hiệu đến EUT mà không làm giảm tính toàn vẹn của dạng sóng, và (2) tách EUT khỏi thiết bị phụ trợ (AE) để ngăn ngừa phản hồi nhiễu. Các CDN truyền thống thường gặp phải hạn chế về dải tần số, khả năng phối hợp trở kháng kém hoặc thiết kế cồng kềnh, dẫn đến kết quả kiểm tra không chính xác hoặc tăng độ phức tạp khi thiết lập. LISUN CDNE-M316 giải quyết những hạn chế này bằng cách tích hợp thiết kế mạch tiên tiến với kiến ​​trúc nhỏ gọn, khiến nó phù hợp cho cả thử nghiệm trong phòng thí nghiệm và trên dây chuyền sản xuất thiết bị chiếu sáng—một loại thiết bị đặc biệt dễ bị nhiễu RF dẫn do có các thành phần chuyển mạch công suất cao.

Bài báo này được cấu trúc như sau: Phần 2 giải thích nguyên lý hoạt động của CDNE; Phần 3 trình bày các thông số kỹ thuật của CDNE-M316; Phần 4 phân tích hiệu suất của nó thông qua dữ liệu thực nghiệm; Phần 5 mô tả thiết lập thử nghiệm thực tế và các nghiên cứu điển hình; và Phần 6 kết luận với những ưu điểm và ứng dụng trong tương lai của nó.

2. Nguyên lý hoạt động của CDNE cho Thử nghiệm miễn dịch RF dẫn truyền

Chức năng của CDNE dựa trên sự phân tách có chọn lọc các tín hiệu điện DC/tần số thấp và nhiễu RF tần số cao. Như minh họa trong LISUNtài liệu kỹ thuật của, CDNE-M316 sử dụng cấu trúc mạch thụ động bao gồm tụ ghép, cuộn cảm tách ghép và bộ suy giảm điện trở tích hợp.

2.1 Cơ chế ghép nối

Tụ ghép cách ly tín hiệu DC và tín hiệu nguồn tần số thấp (ví dụ: nguồn điện lưới 50/60 Hz) đồng thời cho phép tín hiệu kiểm tra RF tần số cao (30–300 MHz) đi qua EUT. Điều này đảm bảo EUT nhận được ứng suất RF cần thiết mà không ảnh hưởng đến nguồn điện thông thường. CDNE-M316 sử dụng tụ gốm chất lượng cao có độ tự cảm ký sinh thấp để duy trì độ trung thực của tín hiệu trên toàn bộ dải tần số hoạt động của nó.

2.2 Cơ chế tách rời

Cuộn cảm tách rời (cuộn cảm) cung cấp trở kháng cao cho tín hiệu RF, ngăn chúng lan truyền trở lại AE (ví dụ: nguồn điện hoặc máy phát tín hiệu). CDNE-M316 tích hợp cuộn dây bù dòng điện, giúp tăng hiệu suất tách ghép lên >30 dB giữa EUT và AE—một thông số quan trọng để tránh lỗi do AE gây ra trong kết quả thử nghiệm.

2.3 Phù hợp và suy giảm tín hiệu

Để đảm bảo khả năng tương thích với thiết bị kiểm tra EMC tiêu chuẩn (ví dụ: bộ thu EMI), CDNE-M316 Được trang bị bộ suy giảm điện trở 20 dB tích hợp tại cổng đo BNC, bộ suy giảm này, bao gồm bộ suy giảm mạch bên trong 9.5 dB và bộ suy giảm chuyên dụng 10.5 dB, đảm bảo phối hợp trở kháng 50 Ω—loại bỏ nhu cầu sử dụng bộ suy giảm bên ngoài và giảm độ phức tạp khi thiết lập.

3. Thông số kỹ thuật của LISUN CDNE-M316

CDNE-M316 được thiết kế cho các ứng dụng nguồn điện một pha (L+N+PE hoặc 2L+PE) và hỗ trợ dòng điện tối đa 16 A, phù hợp với thiết bị chiếu sáng công suất cao. Bảng 1 tóm tắt các thông số kỹ thuật chính của sản phẩm, phù hợp với tiêu chuẩn CISPR 15:2018 và EN 55015.

Bảng 1: Thông số kỹ thuật của LISUN CDNE-M316

Tham số Đặc điểm kỹ thuật Tiêu chuẩn tuân thủ
Dải tần số hoạt động 30 MHz – 300 MHz (tùy chọn 230–300 MHz) CISPR 15: 2018
Đầu nối EUT/AE Ổ cắm chuối an toàn 4 mm EN-61010 1
Dòng điện tối đa (Cổng EUT) 16A (AC/DC) IEC 60947-1
Xếp hạng điện áp nguồn 250 V AC (đường dây-đường dây); 500 V AC (đường dây-đất) EN 55015
Hiệu quả tách rời >30 dB (EUT đến AE) Phụ lục J của CISPR 15
Suy giảm ghép nối 20 dB (cổng đo BNC) CISPR 15 Hình J.2
Trở kháng chế độ chung 150 Ω ± 20% (30–300 MHz) IEC 61000-4-6
Kích thước (W × H × D) 162 mm × 162 mm × 470 mm
Trọng lượng máy ~ 10.4 kg
Nhiệt độ hoạt động + 5 ° C đến + 40 ° C IEC 60068-1

Lưu ý: Các tham số được xác minh thông qua LISUNhiệu chuẩn tại nhà máy và thử nghiệm của bên thứ ba.

CDNE M316 AL

CDNE-M316_ Khớp nối Mạng tách cho đường truyền thông

4. Phân tích hiệu suất của CDNE-M316

Để xác nhận hiệu quả của CDNE-M316 Đối với thử nghiệm Miễn nhiễm RF Dẫn truyền, hai bộ thí nghiệm đã được tiến hành: (1) đo hiệu suất tách ghép và (2) xác minh sự phù hợp trở kháng.

4.1 Kiểm tra hiệu quả tách rời

Hiệu suất tách ghép được đo bằng cách đưa tín hiệu RF 1 Vrms (150 MHz) vào cổng EUT và theo dõi biên độ tín hiệu tại cổng AE bằng máy phân tích phổ. Thiết lập thử nghiệm tuân theo CISPR 15 Phụ lục J, với điểm tham chiếu chế độ chung tại điểm ngắn mạch cáp không được che chắn. Kết quả cho thấy độ suy giảm tín hiệu là 34.2 dB—vượt quá yêu cầu tối thiểu là 30 dB và xác nhận rằng phản hồi nhiễu đến AE là không đáng kể.

4.2 Kiểm tra sự phù hợp trở kháng

Việc khớp trở kháng tại cổng đo BNC đã được kiểm tra bằng máy phân tích mạng (Agilent N5230A) trên dải tần 30–300 MHz. Hệ số phản xạ (S11) luôn dưới -15 dB, cho thấy hiệu suất truyền công suất >96% đến thiết bị thử nghiệm 50 Ω. Điều này loại bỏ hiện tượng phản xạ tín hiệu có thể làm méo mức độ truyền RF và ảnh hưởng đến độ chính xác của phép thử.

4.3 Phân tích so sánh với đối thủ cạnh tranh

Bảng 2 so sánh CDNE-M316 với một sản phẩm tương tự (Schaffner CDN M316) và một CDN chung. CDNE-M316 vượt trội hơn các đối thủ cạnh tranh về hiệu quả tách biệt và hiệu quả về chi phí trong khi vẫn duy trì dải tần số và định mức dòng điện tương đương.

Bảng 2: So sánh hiệu suất của các sản phẩm CDNE

Sản phẩm Dải tần số Hiệu quả tách rời
LISUN CDNE-M316 30–300 MHz > 34 dB
Schaffner CDN M316 150 kHz – 230 MHz > 28 dB
CDN chung 10–200 MHz > 25 dB

5. Ứng dụng thực tế trong thiết lập thử nghiệm miễn nhiễm RF dẫn truyền

CDNE-M316 được tích hợp vào hệ thống thử nghiệm miễn nhiễm RF tiêu chuẩn như thể hiện trong Hình 1. Các thành phần chính bao gồm: (1) Máy phát tín hiệu RF (ví dụ: Rohde & Schwarz SMW200A), (2) CDNE-M316, (3) EUT (ví dụ, đèn đường LED), (4) AE (ví dụ, nguồn điện xoay chiều) và (5) thiết bị giám sát (ví dụ, máy hiện sóng cho đầu ra EUT).

5.1 Quy trình kiểm tra

Thiết lập kết nối: Kết nối AE với CDNE-M316Cổng AE, EUT tới cổng EUT và bộ tạo tín hiệu tới cổng ghép nối.
Hiệu chuẩn: Sử dụng bộ phân tích mạng để xác minh mức độ truyền RF tại cổng EUT (thường là 1 Vrms theo IEC 61000-4-6).
Thực hiện thử nghiệm: Truyền tín hiệu RF qua tần số 30–300 MHz, biên độ thay đổi từ 0.1 Vrms đến 10 Vrms. Theo dõi EUT để phát hiện sự suy giảm hiệu suất (ví dụ: nhấp nháy, độ lệch điện áp đầu ra).
Ghi lại kết quả: Ghi lại biên độ RF tối thiểu gây ra trục trặc cho EUT—giá trị này là ngưỡng miễn nhiễm RF dẫn truyền của EUT.

5.2 Nghiên cứu điển hình: Kiểm tra đèn đường LED

Một thử nghiệm đã được tiến hành trên đèn đường LED 100 W bằng cách sử dụng CDNE-M316EUT duy trì hoạt động bình thường lên đến 8 Vrms ở tần số 150 MHz, với hiện tượng nhấp nháy được ghi nhận ở mức 9 Vrms. Ngưỡng này cao hơn nhiều so với yêu cầu 55015 Vrms của EN 3, xác nhận sự tuân thủ của EUT. CDNE-M316Sự kết nối ổn định của nó đảm bảo truyền tín hiệu nhất quán và thiết kế nhỏ gọn cho phép tích hợp vào trạm thử nghiệm trên dây chuyền sản xuất có không gian hạn chế.

6. Phần kết luận
LISUN CDNE-M316 Mạng ghép nối và tách rời (Coupling and Decoupleling Network) thể hiện hiệu suất vượt trội cho các ứng dụng kiểm tra miễn nhiễm RF dẫn truyền (CDNE). Việc tuân thủ CISPR 15:2018 và EN 55015, kết hợp với hiệu suất tách rời vượt trội (>34 dB) và khả năng phối hợp trở kháng, giúp nó trở thành một công cụ đáng tin cậy để kiểm tra EMC cho thiết bị chiếu sáng và các thiết bị tương tự. Bộ suy giảm 20 dB tích hợp và thiết kế nhỏ gọn giúp giảm độ phức tạp và chi phí lắp đặt, trong khi định mức dòng điện 16 A hỗ trợ EUT công suất cao.

Những tiến bộ trong tương lai có thể tập trung vào việc mở rộng dải tần số lên 1 GHz để phù hợp với các thiết bị hỗ trợ 5G mới nổi và tích hợp các tính năng hiệu chuẩn thông minh cho các hệ thống kiểm tra tự động. Tuy nhiên, CDNE-M316 hiện là giải pháp hiệu quả về chi phí và hiệu suất cao, giải quyết nhu cầu quan trọng về thử nghiệm miễn nhiễm RF chính xác và hiệu quả trong sản xuất điện tử hiện đại.

Tags:

Để lại lời nhắn

Địa chỉ email của bạn sẽ không được công bố. Các trường bắt buộc được đánh dấu *

=